Aixtron schließt Forschungskooperation

Die Aixtron AG, ein Anbieter von MOCVD-Anlagen für Verbindungs-Halbleiter, hat mit dem Institut für Halbleiterphysik (IHP) in Frankfurt/Oder einen Vertrag über eine langfristige Forschungskooperation im Bereich der Entwicklung neuer Materialien geschlossen. Das gemeinsame Forschungsvorhaben erstreckt sich über drei Jahre und konzentriert sich dabei auf Anwendungen neuartiger Kondensatormaterialien in integrierten Halbleiterbauelementen wie z.B. DRAMs, Embedded DRAMs, Entkoppelkondensatoren und Hochfrequenz-Bauelementen.

Die gemeinsame Entwicklung der Prozesse und Materialien werden auf einer Aixtron Tricent® AVD® Anlage durchgeführt. Zu diesem Zweck hat das IHP vor kurzem eine Tricent® Anlage mit zwei Beschichtungskammern für 200 mm wie auch 300 mm große Substrate bestellt. Die Installation des Systems im Reinraum vom IHP ist für Mitte dieses Jahres vorgesehen. Im Rahmen der Kooperationsvereinbarung gewährt das IHP Aixtron Lizenzen und ermöglicht Aixtron somit die Nutzung ausgewählter Patente, die im Zusammenhang mit neuen Hoch-Epsilon Dielektrika (Hoch-isolierende dünne Schichten) vom IHP angemeldet wurden.

Der Schwerpunkt der Arbeiten liegt zu Beginn auf der Prozessentwicklung des neuen Materialsystems Praseodymium Oxid, das seit kurzem als vielversprechender Nachfolger für die auf Aluminium Oxid oder Hafnium Oxid basierenden Dielektrika gilt. Das IHP verfügt bereits über fundierte Kenntnisse in der Herstellung und Anwendung dieses Materials, so dass für die Prozessentwicklung bereits eine gute Basis vorhanden ist. Zusammen mit Aixtron wird das IHP verschiedene andere, neuartige dielektrische und auch metallische Schichten erforschen, die möglicherweise in zukünftige Halbleiterbauelemente integriert werden können.