Intel demonstriert 65-Nanometer-Technologie

Intel stellt erstmals voll funktionstüchtige SRAM-Bausteine (Static Random Access Memory), basierend auf der kommenden 65 Nanometer Technologie, her. Damit kommt dieser Fertigungsprozess planmäßig ab 2005 auf 300 mm Wafern in der Massenproduktion zum Einsatz.

Dieser neue 65 Nanometer Fertigungsprozess ist eine Kombination aus leistungsfähigeren Transistoren mit geringerer Verlustleistung, der zweiten Generation des Strained Silicon, schnellen Interconnects aus Kupfer und einem Low-k Dielektrikum. Übrigens: Ein Nanometer ist der billionste Teil eines Meters.

"Intel setzt mit der 65nm Technologie den seit 15 Jahren bestehenden Trend fort, alle zwei Jahre einen neuen Fertigungsprozess einzuführen. Tatsächlich sind sogar nur 20 Monate vergangen, seit wir die volle Funktionsfähigkeit von SRAMs auf Basis unseres 90nm Prozesses angekündigt haben.", so Dr. Sunlin Chou, Senior Vice President und General Manager der Intel Technology und Manufacturing Group. "Damit verlängern wir nicht nur die Gültigkeit von Moore's Law, sondern können auch noch bessere Produkte produzieren, während wir gleichzeitig die Fertigungskosten senken."