Infineon in erster Instanz mit GaN-Patentverletzungsklage erfolgreich

DOW JONES--Im Streit zwischen Infineon Technologies und dem chinesischen Unternehmen Innoscience um ein Patent im Bereich der Galliumnitrid-Technologie hat das Landgericht München I in erster Instanz zugunsten des deutschen Chipherstellers entschieden. Ein Patent von Infineon werde durch GaN-Produkte, die Innoscience in Deutschland anbiete, verletzt, entschieden die Richter, wie Infineon mitteilte. Der chinesische Wettbewerber, der sich auf Halbleiter auf GaN-Basis spezialisiert hat, dürfe die betroffenen Produkte in Deutschland weder herstellen noch verkaufen oder vermarkten. Darüber hinaus verpflichtete das Gericht Innoscience den Angaben zufolge zur Zahlung von Schadenersatz an Infineon.

GaN spielt als Wafer-Material eine zentrale Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Stromversorgungssysteme für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Technologien für erneuerbare Energien, Rechenzentren, Industrieautomatisierung und Elektrofahrzeuge.

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