Samsung stellt neuen Speicherbaustein vor
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Seoul (BoerseGo.de) - Der südkoreanische Elektronikriese Samsung Electronics hat die Entwicklung einer neuen Genration von DRAM-Speicherbausteinen bekannt gegeben.
Der weltweit erste DDR4 DRAM ist doppelt so schnell wie das derzeit handelsübliche DDR3 DRAM-Modell. Zudem soll der neue Baustein Energieeffizienter sein und den Energieverbrauch von Computern um bis zu 40 Prozent senken können.
Die Datentransfer-Rate liegt bei etwa 2,1 Gigabit pro Sekunde bei 1,2 Volt. Der neue Speicherbaustein soll in etwa zwei Jahren auf dem Markt verfügbar sein.
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