Intel stellt neuen Flashspeicher-Chip vor

Intel kündigt im Rahmen des Intel Developer Forums (IDF) den ersten NOR-Flash-Speicher mit 90 Nanometer (nm) Strukturbreite an. Das neue Intel® Wireless Flash Memory ist die fünfte Generation von Intel Flash-Speichern, die speziell auf die hohen Anforderungen drahtloser Endgeräte zugeschnitten sind.

In seiner Rede vor den Besuchern des IDF unterstreicht Sean Maloney, Executive Vice President von Intel, die Vorteile der neuen Fertigungstechnologie: Chips mit 90 nm Strukturbreite - 1 Nanometer entspricht 1 Millionstel Meter - sind nur etwa halb so groß wie die der vorhergehenden Generation. Dank dieser Platzersparnis verdoppelt Intel seine Produktionskapazitäten und senkt gleichzeitig die Kosten. Das erste Produkt auf Basis der neuen Technologie ist ein Single-Cell-Flash-Speicher. Im Laufe des Jahres werden Speicherbausteine auf Basis der Intel Multi-Level-Cell (MLC)-Technologie hinzukommen, die das Datenvolumen jeder Speicherzelle verdoppelt.

"Der Intel Wireless Flash Memory ist im Augenblick der leistungsstärkste Flash-Speicher für drahtlose Endgeräte auf dem Markt", erklärt Tom Lacey, Vice President der Intel Flash Products Group. "Er kombiniert vier Funktionen in einem einzigen Baustein: 1.8V Betriebsspannung, direkte Code-Ausführung (execute in place), Enhanced Factory Programming (eine Technologie zur Programmierung von Flash-Speichern in der Produktionsumgebung) sowie Code- und Datenspeicherung auf einem einzigen Chip. Bei der Entwicklung moderner Geräte sind diese Funktionen besonders wichtig."