Infineon und Nanya bauen Entwicklungskooperation aus

Der Münchener Chiphersteller Infineon und die taiwanesische Nanya Technology Corporation haben die Ausweitung ihrer gemeinsamen Entwicklungsaktivitäten für DRAMs vereinbart. Danach werden die beiden Unternehmen zusammen ab September 2005 moderne 60-nm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer entwickeln. Damit weiten Nanya und Infineon ihre bisherige Kooperation für die Entwicklung von 90-nm- und 70-nm-Fertigungstechnologien aus. Durch diese Zusammenarbeit können beide Unternehmen ihre Entwicklungskosten reduzieren und ihre Positionen im DRAM-Markt festigen, teilte Infineon mit.

Die neue Fertigungstechnologie, die Nanya und Infineon gemeinsam im Infineon-Werk Dresden entwickeln werden, soll zukünftig von beiden Unternehmen und vom gemeinsamen Fertigungs-Joint Venture Inotera Memories genutzt werden. Eine weitere Zusammenarbeit bei der Entwicklung von 60-nm-Referenzprodukten sei bereits geplant. Voraussichtlich 2008 sollen die ersten Speicherprodukte mit dem neuen 60-nm-Fertigungsverfahren auf Basis der 300-mm-Wafer produziert werden.

"Der Ausbau der erfolgreichen strategischen Partnerschaft mit Nanya zur Entwicklung der 60-nm-Technologie ermöglicht eine erhebliche Produktivitätssteigerung bei der Fertigung von DRAMs“, kommentierte Kin Wah Loh, Mitglied des Vorstandes und Leiter des Geschäftsbereichs Speicherprodukte bei Infineon.