Infineon kooperiert mit Nanya

Infineon Technologies und die Nanya Technology
Corporation haben eine Kooperation im Bereich von DRAM-Speicherchips bekannt gegeben. Die Zusammenarbeit sehe eine gemeinsame Technologieentwicklung und die Gründung eines Fertigungs-Joint-Ventures vor. Sitz des Joint Ventures werde in Taoyuen/Taiwan sein. Die Kartellbehörden müssen allerdings noch zustimmen.
Beide Halbleiterhersteller werden im Rahmen des Abkommens ab Oktober 2002 die zukunftsweisenden 0,09- und 0,07-Mikrometer-Fertigungstechnologien fuer 300-Millimeter-Wafer gemeinsam entwickeln und damit die Kosten teilen.
Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender von Infineon bezeichnet Nanya als idealen Partner. Durch die Vereinbarung könne Infineons Position in Asien und der Anteil im weltweiten Markt für Speicherchips weiter verstärkt werden.