ITC sieht Infineon-GaN-Patent durch Innoscience verletzt

DOW JONES--Im Streit um eine Nutzung bestimmter Galliumnitrid-Technologien in der Chipherstellung sieht die US-Handelsaufsicht ITC ein Patent des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies durch die chinesische Innoscience als verletzt an. Es handele sich dabei um eine vorläufige Entscheidung, teilte Infineon in München mit. Werde sie bestätigt, werde die Einfuhr der als patentverletzend angesehenen Produkte von Innoscience in die USA untersagt, heißt es in der Mitteilung weiter. Infineon erklärte, die endgültige Entscheidung der Kommission werde am 2. April nächsten Jahres erwartet.

Galliumnitrid (GaN) spielt als Wafer-Material eine zentrale Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Stromversorgungssysteme. Infineon hat bereits vor dem Landgericht München ein positives Urteil gegen Innoscience erstritten.

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DJG/rio/mgo

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