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20:19 Uhr, 14.03.2022

AIXTRON: Wolfspeed kauft AIXTRON-Anlagen zur Erhöhung der 200mm-Produktionskapazitäten / Planetenreaktor-Technologie für Siliziumkarbid erfüllt die hohen Anforderungen der SiC-Leistungselektronik

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DGAP-Media / 14.03.2022 / 20:19

Wolfspeed kauft AIXTRON Epitaxie-Anlagen zur Erhöhung der 200mm-Produktionskapazitäten
Die Planetenreaktor-Technologie für Siliziumkarbid erfüllt die hohen Anforderungen der Siliziumkarbid-Leistungselektronik

Herzogenrath, 14. März 2022 - Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF), ein führender Hersteller von Siliziumkarbid-Substraten und -Bauteilen wird die 200mm Planetary Reactor(R)-Technologie der AIXTRON SE (FWB: AIXA) zur Herstellung von MOSFET- und Schottky-Dioden-Bauelementen auf Siliziumkarbid-Basis in seinen Produktionsanlagen einsetzen.

"Siliziumkarbid ist eine der Schlüsseltechnologien für das Energiemanagement der nächsten Generation. Sie ermöglicht es uns, ein neues, höchst spannendes Kapitel in der Entwicklung der Halbleiterindustrie zu schreiben und einen wichtigen Beitrag zu energieeffizienten Technologien zu leisten, die eine nachhaltige Zukunft unterstützen. Wolfspeed ist führend in der Produktion von 200mm Siliziumkarbid und wir sind stolz darauf, mit Wolfspeed zusammenzuarbeiten, um diese neueste Innovation auf den Markt zu bringen", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE, einem führenden Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie.

Die neuen Planetenreaktoren werden in einer 6x200mm-Konfiguration geliefert, der größten bisher auf dem Markt erhältlichen Kapazität für die Siliziumkarbid-Epitaxie. Dies bedeutet eine erhebliche Steigerung der gesamten Epitaxiefläche pro Produktionslauf im Vergleich zu bestehenden, auf dem Planetary-Reactor(R)-Konzept basierenden Systemen. Die hoch automatisierte Anlage wird einen schnellen Austausch von Teilen ermöglichen, ohne dabei die Produktionszyklen zu beeinträchtigen. Auch verfügen die Anlagen über eine Temperaturregelung, um die beste Leistung auf dem Wafer zu erzielen und somit den höchsten Qualitätsanforderungen für die Epitaxieschichten auf Siliziumkarbid-Wafern zu entsprechen.

"Die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Lösungen nimmt weiter zu, vor allem in der Automobil-, Industrie- und Energiebranche, die von der Silizium- zur Siliziumkarbid-Technologie wechseln. Wolfspeed investiert weiter in die Kapazitätserweiterung, um aufbauend auf den Vorteilen von Siliziumkarbid dem Markt ein erweitertes Angebot zur Verfügung stellen zu können", sagt Wolfspeed-CEO Gregg Lowe. "Wir schätzen die langjährige, hervorragende Zusammenarbeit mit AIXTRON. Sie sind ein wichtiger Partner beim Hochfahren der Produktion in der weltweit ersten 200mm Siliziumkarbid-Fertigungsstätte.", so Gregg Lowe, CEO von Wolfspeed weiter.

Wolfspeed ist weltweit führend in der Siliziumkarbid-Technologie und fährt derzeit die Produktion in einer automatisierten 200-mm-Siliziumkarbid-Waferfabrik in Marcy, Mohawk Valley, New York, hoch. Aufgrund seiner einzigartigen physikalischen Eigenschaften ermöglicht Siliziumkarbid eine hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz und wird die nächste Generation der Halbleitertechnologie vorantreiben.

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Ansprechpartner

AIXTRON SE
Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com

Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie

14.03.2022 Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch DGAP - ein Service der EQS Group AG.
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