AIXTRON TEST !!! Siltronic fährt GaN-Wafer-Aktivitäten mit AIXTRON-Anlage hoch

DGAP-Media / 04.09.2020 / 14:12

AIXTRON TEST !!!

Siltronic fährt GaN-Wafer-Aktivitäten mit AIXTRON-Anlage hoch

Bestellung einer vollautomatischen AIX G5+ C-Anlage zur Positionierung auf dem aufstrebenden Markt für Galliumnitrid-auf-Silizium-Materialanwendungen / Höchster Durchsatz mit exzellenter Gleichförmigkeit ermöglicht schnelles Hochfahren der Anlage

Herzogenrath, 25. August 2020 - Die Siltronic AG verstärkt ihr Geschäft mit GaN-on-Si-Wafern mit einer AIX G5+ C-Anlage der AIXTRON SE (FSE: AIXA), einem weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Die AIX G5+ C-Anlage ist vollautomatisiert und mit einer In-situ-Reinigung und einem Kassette-zu-Kassette-Transfermodul ausgestattet, das beste Epitaxie-Stabilität und unübertroffen niedrige Defektraten bietet. Der hochmoderne Planeten-Reaktor(R) verfügt über die Auto-Feed Forward (AFF) von AIXTRON individuelle On-Wafer-Temperaturregelung und eine 8x150-mm- und 5x200-mm-Konfiguration. Die Anlage wird im vierten Quartal dieses Jahres an den Kunden ausgeliefert.

Wafer-Ausrüstung für kommende Megatrends

Siltronic ist ein führender Anbieter von Silizium-Wafern für die Halbleiterindustrie und wird den zusätzlichen Epitaxie-Reaktor nutzen, um die Position auf dem aufstrebenden GaN-on-Si-Markt zu stärken. Die AIX G5+ C wird von Siltronic für die Herstellung von 150 mm- und 200 mm-Galliumnitrid-auf-Silizium (GaN-on-Si)-Epi-Wafern für Radiofrequenz (RF)- und Leistungselektronikanwendungen eingesetzt.

RF, Leistungselektronikbauelemente und Schaltkreise ermöglichen hohe Schaltfrequenzen und ein effizientes Energiemanagement mit hohen Leistungsdichten. Diese Eigenschaften sind für schnell wachsende Anwendungen wie Serverfarmen, erneuerbare Energien und die nächste Generation drahtloser Netzwerke (5G) erforderlich. Neben dem kleineren Formfaktor ist GaN-on-Si ein idealer Kandidat für Schnellladegeräte und die Elektrifizierung von Fahrzeugen.

Ausgewählt von den Besten der Branche

Dr. Christoph von Plotho, CEO der Siltronic AG, sagt: "Der GaN-on-Si-Markt ist ein wichtiges zukünftiges Wachstumsfeld. Im Rahmen des GaN-Power-Programms von imec, dem Forschungsinstitut für Nanoelektronik, waren wir schon früh sehr aktiv, um unseren Kunden Spitzenleistungen zu bieten. Um uns in diesem Markt wettbewerbsfähig zu positionieren, benötigen wir eine Anlage, mit der wir unseren Kunden die Epi-Wafer mit der besten Leistung liefern und gleichzeitig das Volumen zu niedrigsten Kosten steigern können. Wir sehen die AIX G5+ C-Anlage in dieser Hinsicht als ideale Lösung sowohl für GaN Power- als auch für RF-Bauelemente, um die wachsenden Anwendungen und Megatrends zu bedienen. Der Einsatz der GaN-on-Si-Technologie leistet auch einen zentralen Beitrag zur Verbesserung der Energiebilanz durch Dekarbonisierung."

"Die GaN-on-Si-Technologie hat in den letzten Jahren einen beeindruckenden Durchbruch erzielt, und die Geräte setzen sich sowohl in Verbraucher- als auch in Industrieprodukten für Leistungs- und RF-Anwendungen rasch durch. Die AIX G5+ C ist eine voll ausgereifte Plattform für diese fortschrittlichen Anwendungen, und es ist fantastisch, dass wir unsere Kunden bei der Erschließung dieser neuen Märkte begleiten können", sagt Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON.

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Ansprechpartner

Guido Pickert
Leiter Investor Relations & Unternehmenskommunikation
TELEFON +49 (2407) 9030-444
E-MAIL g.pickert@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und Europa. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise LED- und Displaytechnologie, Datenübertragung, SiC- und GaN Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Über Siltronic
Siltronic ist einer der weltweit größten Hersteller von Wafern aus hochreinem Silizium und Partner vieler führender Halbleiterunternehmen. Das Unternehmen betreibt Produktionsstätten in Asien, Europa und den USA. Siltronic entwickelt und fertigt Siliziumwafer mit Durchmessern bis zu 300 mm. Siliziumscheiben bilden die Grundlage der modernen Mikro- und Nanoelektronik und sind eine Schlüsselkomponente in Halbleiterchips für Computer, Smartphones, Navigationssysteme und viele andere Anwendungen. Die Siltronic AG beschäftigt rund 3.600 Mitarbeiter und ist ein börsennotiertes Unternehmen in Deutschland (Prime Standard). Die Siltronic-Aktie ist im MDAX und TecDAX vertreten.

Weitere Informationen über Siltronic sind im Internet unter www.siltronic.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.

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