AIXTRON liefert Depositionsanlagen für die Spitzenforschung an das Micron Center for Materials Research / CCS 3x2-System für 2D-Materialien und GaN-Strukturen geht an die Boise State University, Idaho

DGAP-Media / 17.05.2022 / 09:38

AIXTRON liefert Depositionsanlagen für die Spitzenforschung an das Micron Center for Materials Research
CCS 3x2-System zur Abscheidung von 2D-Materialien und Galliumnitrid (GaN)-Strukturen geht an die Boise State University, Idaho

Herzogenrath, 17. Mai 2022 - AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt, dass AIXTRON Ltd., eine Tochtergesellschaft der AIXTRON SE, eine Depositionsanlage des Typs Close Coupled Showerhead® Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (CCS® MOCVD) für Verbindungshalbleitermaterialien an die Boise State University liefern wird. Die CCS® 3x2-Anlage ist ein wesentlicher Bestandteil einer Infrastrukturerweiterung, die der Boise State University zugesprochen wurde.

Die AIXTRON CCS 3x2, die an Boise geliefert wird, hat eine Kapazität von 3x2" Wafern. Die Anlage wird eine maximale Betriebstemperatur von 1.400 C haben, die die Abscheidung von Graphen und hBN auf Saphir sowie neuartige Strukturen für GaN-basierte UV-LEDs ermöglicht. Ausgestattet mit einer Vielzahl von Kanälen für Gase und Metallorganika, ermöglicht das der Boise State University, die modernsten 2D-Materialien abzuscheiden. Darüber hinaus wird die Anlage mit den AIXTRON-eigenen In-situ-Messtechnologien ARGUS und EPISON ausgestattet sein, die sich als entscheidend für die gleichmäßige und wiederholbare Herstellung von 2D-Materialien auf Wafern erwiesen haben.

Mit Hilfe des CCS 3x2 will Boise State die Herstellung fortschrittlicher, flexibler Hybridelektronik auf Basis von 2D-3D-Heterostrukturen ermöglichen. Ziel ist es, die AIXTRON-Anlage zur Erforschung und Bewältigung der Herausforderungen bei der großtechnischen Synthese und der Integration von 2D-Materialien in den Prozessablauf zur Herstellung von Halbleiterbauelementen einzusetzen.

"Die AIXTRON-Anlage ist ein wichtiger Bestandteil des Ausbaus unserer Forschungsinfrastruktur. Die AIXTRON Close Coupled Showerhead MOCVD-Anlage ist in der Lage, sowohl Halbleitermaterialien auf atomarer Ebene als auch herkömmliche Halbleiterschichten im Wafermaßstab zu erzeugen", sagt David Estrada, stellvertretender Direktor des Boise State Center for Advanced Energy Studies und außerordentlicher Professor an der Micron School of Materials Science and Engineering.

Die AIXTRON CCS 3x2-Anlage wird voraussichtlich die einzige Anlage an einer US-amerikanischen Universität sein, die speziell für die Herstellung von 2D- und Nitrid-Verbindungshalbleitern im Wafer-Maßstab ausgelegt ist. Sie dient der Ausbildung zukünftiger Halbleiterspezialisten auf Bachelor- und Master-Ebene für die US-amerikanische Halbleiterindustrie.

In enger Zusammenarbeit mit AIXTRON wird das Forschungsteam der Boise State einzigartige Materialeigenschaften, Algorithmen der künstlichen Intelligenz und bahnbrechende Mikrofabrikationstechniken nutzen, um neuartige Technologien für zukünftige Anwendungen zu entwickeln und voranzutreiben.

"Wir freuen uns, unsere Beziehungen zu den Vereinigten Staaten und der akademischen Welt durch die Bereitstellung eines industrietauglichen F&E-Reaktors für die Boise State University zu vertiefen. Unsere CCS 3x2-Anlage liefert in zahlreichen Anwendungen erstklassige Ergebnisse für 2D-Materialien im Wafer-Maßstab. Sie ist außerdem die einzige Anlagentechnologie, die für die kombinierte 2D- und GaN-Forschung konfiguriert werden kann und gleichzeitig das Wachstum von van-der-Waals-Heterostrukturen ermöglicht", erklärt Prof. Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei AIXTRON.

Ansprechpartner

Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com

Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Close Coupled Showerhead®, Gas Foil Rotation®, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, TriJet®

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

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